长春双列直插型集成电路芯片

    在互连层a的上表面上方形成多个底电极通孔。多个底电极通孔由介电层围绕。在一些实施例中，介电层可以沉积在互连层a上方，并且然后选择性地被图案化以限定底电极通孔开口。然后通过在底电极通孔开口内的沉积工艺形成多个底电极通孔。在各个实施例中，介电层可以包括碳化硅、富硅氧化物、teos(正硅酸乙酯)等的一种或多种。在各个实施例中，多个底电极通孔可以包括导电材料，诸如钛、氮化钛、钽等。在多个底电极通孔上方形成多个mtj器件、和。多个mtj器件、和分别包括mtj，mtj具有通过介电遂穿阻挡层与自由层分隔开的固定层。在一些实施例中，固定层可以形成为接触底电极通孔。在其它实施例中。自由层可以形成为接触底电极通孔。多个mtj器件、和中的一个包括被配置为存储数据状态的工作mtj器件。多个mtj器件、和中的一个或多个包括设置在调节访问装置内的调节mtj器件和，调节访问装置被配置为控制(即，调节)提供给相关的工作mtj器件的电流。在一些实施例中，可以同时形成多个mtj器件、和。例如，在一些实施例中，可以通过在介电层和多个底电极通孔上方沉积磁固定膜。在磁固定膜上方形成介电阻挡膜，并且在介电阻挡膜上方形成磁自由膜来形成多个mtj器件、和。集成电路的性能很高，因为小尺寸带来短路径，使得低功率逻辑电路可以在快速开关速度应用。长春双列直插型集成电路芯片

    深圳市美信美科技有限公司于年月日成立。公司经营范围包括：一般经营项目是：电子产品及其配件的技术开发与销售；国内贸易等。本公司主营推广销售AD（亚德诺）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等国际有名品牌集成电路。产品广泛应用于：汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。本申请涉及一种集成电路封装结构，尤其是集成电路的小型化与高功率密度化的封装结构。背景技术：集成电路在满足摩尔定律的基础上尺寸越做越小。尺寸越小，技术进步越困难。而设备的智能化，小型化，功率密度的程度越来越高，为解决设备小型化，智能化，超高功率密度这些问题，不但需要提升各种功能的管芯的功能，效率，缩小其面积，体积；还需要在封装技术层面上完成小型化，集成化，高功率密度化等技术要求，并解决由此带来的集成电路的散热问题，生产工艺复杂，生产周期长，生产成本高等问题。现有很多集成电路封装结构，有沿用常规的封装方式，采用框架安装各种管芯，采用线材键合作电气联结，在功率较大时，常常采用较粗的键合线和较多的键合线。此类封装方式有比如ipm模组的dip封装，单颗mosfet的to封装等，此类封装体积通常都比较大。不适宜小型化应用。无锡半导体集成电路公司我国已形成较完整的集成电路产业链，也涌现了一批高质量企业和企业家，在局部已形成了很强的能力。

    图a示出了具有以行和列布置的多个存储单元a,至c,的存储器电路的一些额外实施例的示意图。多个存储单元a,至c,分别包括配置为存储数据的工作mtj器件和配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节访问装置。调节访问装置包括连接至工作mtj器件的同一层的调节mtj器件和调节mtj器件。调节mtj器件连接在多条字线wl至wl的条和多条偏置电压线bvl至bvl的条之间。调节mtj器件连接在多条位线bl至bl的条和多条偏置电压线bvl至bvl的条之间。工作mtj器件连接在多条偏置电压线bvl至bvl的条和多条位线bl至bl的条之间。在操作期间，位线解码器被配置为选择性地将信号施加至一条或多条位线bl至bl，并且字线解码器被配置为选择性地将信号施加至一条或多条字线wl至wl和一条或多条偏置电压线bvl至bvl。施加的信号使得调节mtj器件内的电流基于提供给存储器阵列的整个列的电压而产生。而将调节访问装置连接至位线bl使得调节mtj器件内的电流基于提供给存储器阵列的整个行的电压而产生。将调节访问装置连接至在不同方向上延伸的位线和字线允许改进存储器阵列的存储单元之间的隔离。图b示出了对应于图a的存储器电路的集成电路的一些额外实施例的截面图。

    与集成电路204热耦联的第二热接口材料层206；以及与第二热接口材料层206热耦联的能够移除的散热器208，所述散热器208具有越过印刷电路板202的与连接侧304相对的侧延伸的顶表面302。在906处，将两个印刷电路装配件相对地放置在一起，使得所述印刷电路装配件400中的每个印刷电路装配件上的散热器208的顶表面302与另一个印刷电路装配件400上的热接口材料层408接触，并且与该热接口材料层408热耦联。在908处，流程900包括将每个冷却管406的端部耦联至分流管606a，以及将每个冷却管406的第二端部耦联至第二分流管606b。在910处，流程900包括将泵110、热交换器112和储液器114与分流管606a和第二分流管606b流体流通地耦联。流程900包括操作泵110以将液体传送通过各冷却管406。如本文所使用的，术语“或”可以解释为包含性或排除性的意义两者。此外，以单数形式对资源、操作或结构的描述不应解读为排除复数形式。其中，诸如“能够”、“可以”、“可能”、或“可”的条件语句，除非另有明确说明，或在所使用的上下文中另有理解，一般旨在传达某些实施例包含特定特征、元素和/或步骤，而其他实施例不包含这些特定特征、元素和/或步骤。除非另有特别说明。深圳市美信美科技有限公司，你的稳定集成电路供应商。

    提供的通过mtj器件的电流必须大于切换电流(即，临界切换电流)。不大于切换电流的电流将不会导致电阻状态之间的切换，并且因此不会将数据写入存储器阵列内的mtj器件。在一些实施例中。公开的写入操作可以在调节mtj器件(例如，图中的至)处于高电阻状态来实施，以在选择和未选择的单元之间提供隔离。a的示意图所示，写入操作的步骤通过将数据状态写入存储器阵列的行中的存储单元a,和第三存储单元a,内的工作mtj器件来实施。通过将非零偏置电压v(例如，v)施加至字线wl和wl，将非零偏置电压v(例如，v)施加至字线wl，将第三非零偏置电压v(例如，v)施加至位线bl和bl，并且将第四非零偏置电压v(例如，v)施加至位线bl来实施写入操作的步骤。非零偏置电压v(例如，v)和第三非零偏置电压v(例如，v)之间的差异使得电流i流过存储单元a,和第三存储单元a,内的调节mtj器件。电流i小于切换电流isw，使得存储单元a,和第三存储单元a,内的调节mtj器件的状态不变。然而，来自调节mtj器件的电流加在一起，使得为电流i的两倍的电流流过存储单元a,和第三存储单元a,内的工作mtj器件。电流i的两倍的电流大于切换电流isw，以将数据状态写入存储单元a,和第三存储单元a,内的工作mtj器件。存储单元a。而根据处理信号的不同，可以分为模拟集成电路、数字集成电路、和兼具模拟与数字的混合信号集成电路。上海大规模集成电路IC

早期的集成电路使用陶瓷扁平封装，这种封装很多年来因为可靠性和小尺寸继续被军方使用。长春双列直插型集成电路芯片

    在一些这样的实施例中。存储器阵列内的存储单元可以在相同的互连层上彼此横向邻近布置。应当理解，图a至图b所示的集成芯片和可以实现图的存储器阵列的集成芯片的两个非限制性实施例，并且可以在可选实施例中使用其它实施方式。在一些实施例中，调节访问装置内的调节mtj器件可以具有相同的尺寸。在其它实施例中，调节访问装置内的调节mtj器件可以具有彼此不同的尺寸和/或与工作mtj器件不同的尺寸。例如，图a示出了具有调节访问装置的存储器电路的一些额外实施例的示意图，该调节访问装置包括具有不同尺寸的调节器件。存储器电路包括多个存储单元a。至c,，每个存储单元分别包括被配置为存储数据的工作mtj器件和被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节访问装置。调节访问装置包括连接至mtj器件的同一层的调节mtj器件和调节mtj器件。调节mtj器件连接在字线(例如，wl)和工作mtj器件之间，而调节mtj器件连接在字线(例如，wl)和工作mtj器件之间。工作mtj器件进一步连接至位线(例如，bl)。图b示出了对应于图a的存储器电路的集成电路的一些实施例的截面图。如截面图所示，调节mtj器件具有尺寸(例如。宽度w)，并且调节mtj器件具有与尺寸不同的尺寸(例如，宽度w)。长春双列直插型集成电路芯片